乙中南（公司）（未认证）

本发明涉及一种不含B的常压烧结高纯SiC陶瓷材料及应用，属于高纯致密陶瓷开发技术领域。本发明以α‑SiC粉体、β‑SiC粉体为原料，将原料粉末加入到改性液中，搅拌均匀后，干燥，然后压制成形并在保护气氛下烧结，得到高纯SiC陶瓷；所述改性液中含有烧结助剂，所述烧结助剂为硅碳原子比0.95~1.05的高分子聚合物；其用量为原料粉末质量的8~25%；在保护气氛下烧结的温度为1700~2200℃；所得高纯SiC陶瓷中SiC的质量百分含量大于等于99.9%。所得高纯SiC陶瓷用在半导体领域。本发明工艺简单、可控，所得产品性能优良，便于工业化应用，本发明所得产品可广泛应用于半导体领域。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》