乙中南（公司）（未认证）

本发明提供了一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。本发明解决了现有技术存在记忆器件无法同时实现忆阻忆容的问题，构建M‑I‑S(金属‑绝缘体‑半导体)异质结构器件，利用强电场的激发来实现对势垒区的调制，进而可实现对电阻电容的调控。从而实现电阻电容的记忆行为。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》