乙中南（公司）（未认证）

本发明涉及一种HfO2基薄膜及其制备方法，包括基底，所述基底上设有金属W层，所述金属W层上覆盖有Hf0.5Zr0.5O2薄膜，所述Hf0.5Zr0.5O2薄膜上覆盖有ZrO2薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基底上沉积金属W层；再在金属W层上沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜；然后在Hf0.5Zr0.5O2薄膜上沉积ZrO2薄膜，获得HfO2基无定形薄膜后，于保护气氛或真空条件下退火处理后，获得HfO2基薄膜成品。本发明有效解决了HfO2薄膜介电常数与剩余极化值相矛盾的问题。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》