乙中南（公司）（未认证）

本发明公开了一种超小气流调控生长厘米级二维硫化铬薄膜的方法。选用金属铬粉、硫粉作为原料，氯化钠作为助熔剂，将原料加热挥发，使用惰性气体氩气作为载气，在780‑850℃的生长温度下发生反应在衬底上获得厘米级大尺寸二维硫化铬薄膜。本发明方案中控制挥发源与衬底的距离，通过超小气流调控气体边界层，实现对前驱体挥发量以及三硫化二铬成核速率的有效控制，最终实现三硫化二铬大面积连续薄膜的制备。本发明可以制备出二维非层状硫化铬薄膜，所制备的薄膜连续、表面平整、均一性好，且制备方法简单、可控。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》