乙中南（公司）（未认证）

本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》