乙中南（公司）（未认证）

本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌‑锡‑锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn‑Sn‑Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％‑50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm‑60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌‑锡‑锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》