乙中南（公司）（未认证）

本发明公开了一种大尺寸CdZnTe单晶的无损伤缺陷控制技术。本发明以CdZnTe晶片为处理对象；通过液相退火的方式来消除内部的位错和非晶相沉淀的缺陷；液相退火所用液体中含有Cd元素。本发明通过这种液相退火的方式可以快速有效提升晶片的红外透过率和电阻率，并且对晶体表面不造成晶格损伤，实现大尺寸单晶的无损伤缺陷控制。本发明所采用的方法操作简单，并且能够有效的改善单晶光电性能，具有较强的使用价值和经济效益。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》