乙中南（公司）（未认证）

本申请公开了一种硅光子芯片光耦合结构加工方法及结构，该方法包括：将第一SOI晶圆的器件层刻去一部分，第一SOI晶圆的器件层被刻去的部分露出埋氧层，第一SOI晶圆的器件层保留的部分至少包括：垂直锥波导；对第一SOI晶圆的器件层刻去的部分进行填充；对填充后的第一SOI晶圆的器件层进行抛光露出垂直锥波导的上表面；将第一SOI晶圆的器件层的上表面与第二SOI晶圆的器件层的上表面键合在一起，从第二SOI晶圆的埋氧层处剥离出第二SOI晶圆的器件层；在第二SOI晶圆的器件层加工出锥波导。通过本申请解决了现有硅光子芯片光耦结构和方案都存在制造工艺复杂且耦合效率不高的问题，从而实现硅光波导芯片与单模光纤的低损耗

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》