乙中南（公司）（未认证）

本发明公开了一种基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：在导电衬底上磁控溅射半导体层，并在半导体上旋涂聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液中的溶剂挥发后，在其上磁控溅射导体层，并用有机溶剂溶解聚苯乙烯微球，即可在导体层中形成多孔结构；采用飞秒激光按照预先设定好的图案对半导体层和含有多孔结构的导体层打穿形成沟槽，并将离子液滴入沟槽和覆盖离子液在部分含有多孔结构的导体层上；在未覆盖离子液的区域引出源极和栅极，并将源极所在单元对应的底部导电衬底作为漏极。本申请减少了图案化过程中的不确定因素，易于集成形成晶体管阵列，且图案化过程简单，可进行多样化图案设计。

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》