专利详情
本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用,所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3:5:2.6,正交晶系,空间群为Cmcm,晶胞参数为α=β=γ=90°,保护性气氛或真空环境下,将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合,升温至620℃~820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料,其光学带隙约为1.2eV,与单晶Si(Eg:1.1~1.3eV)的带隙接近,作为半导体材料,在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景。
交易流程
第一步:对接专利转让需求客户。
第二步:专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。
第三步:双方准备好专利转让需要的相关文件。
第四步:将相关的文件递交给专利局。
第五步:等待专利转让结果。
过户材料
买卖双方需提供的材料 | ||
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企业或组织 | 个人 | |
受让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
①身份证复印件(签名) ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
转让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》 |
①身份证复印件(空白处签名) ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》 |