专利详情
本发明提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器,包括底电极、涂覆于所述底电极表面的存储介质层、沉积于所述存储介质层表面的顶电极;其中,所述底电极通过在衬底上沉积导电膜层制备得到;所述存储介质层为勃姆石薄膜层;所述顶电极为沉积于所述储存介质层表面的金属薄膜电极。本发明的高稳定性多值勃姆石基忆阻器,有多值存储特性,稳定性高,其中的存储介质层具有优异的生物相容性,在可植入生物忆阻器领域具有重要应用。本发明还提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器的制备方法。
交易流程
第一步:对接专利转让需求客户。
第二步:专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。
第三步:双方准备好专利转让需要的相关文件。
第四步:将相关的文件递交给专利局。
第五步:等待专利转让结果。
过户材料
| 买卖双方需提供的材料 | ||
|---|---|---|
| 企业或组织 | 个人 | |
| 受让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
①身份证复印件(签名) ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
| 转让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》 |
①身份证复印件(空白处签名) ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》 |




津公网安备 12010402000689号