专利详情
本发明涉及纳米材料技术领域,涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料,二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加,形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x,其中:a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm),并且1≤a≤50;b表示单层Ge薄膜的厚度(nm),并且1≤b≤13;x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数,并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗,适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器,极具市场前景。
交易流程
第一步:对接专利转让需求客户。
第二步:专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。
第三步:双方准备好专利转让需要的相关文件。
第四步:将相关的文件递交给专利局。
第五步:等待专利转让结果。
过户材料
| 买卖双方需提供的材料 | ||
|---|---|---|
| 企业或组织 | 个人 | |
| 受让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
①身份证复印件(签名) ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
| 转让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》 |
①身份证复印件(空白处签名) ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》 |




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