专利详情
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料,为多层复合膜结构,由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成,将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应,减小晶粒尺寸,从而缩短结晶时间,抑制晶化,使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度;并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小,这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触,最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
交易流程
第一步:对接专利转让需求客户。
第二步:专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。
第三步:双方准备好专利转让需要的相关文件。
第四步:将相关的文件递交给专利局。
第五步:等待专利转让结果。
过户材料
| 买卖双方需提供的材料 | ||
|---|---|---|
| 企业或组织 | 个人 | |
| 受让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
①身份证复印件(签名) ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
| 转让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》 |
①身份证复印件(空白处签名) ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》 |




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