专利详情
本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料,为多层复合膜结构,由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成,将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实,本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns,而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns;说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比,本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度,从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度,有利于提高PCRAM信息读写的速度。
交易流程
第一步:对接专利转让需求客户。
第二步:专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。
第三步:双方准备好专利转让需要的相关文件。
第四步:将相关的文件递交给专利局。
第五步:等待专利转让结果。
过户材料
| 买卖双方需提供的材料 | ||
|---|---|---|
| 企业或组织 | 个人 | |
| 受让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
①身份证复印件(签名) ②专利权转让协议 ③专利代理委托书 |
| 转让方 | ①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》 |
①身份证复印件(空白处签名) ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》 |




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