陆欢欢（公司）（未认证）

技术领域本发明涉及场效应晶体管技术领域，特别涉及一种隧穿场效应晶体管及其 制作方法。 背景技术 随着集成电路的发展，金属氧化物半导体场效应晶体管(英文：Metal Oxide Semiconductor field effect transistor；简称：MOSFET)的尺寸不断按照“摩尔定 律”进行缩微，电路的动态功耗和静态功耗密度会增加，动态功耗和静态功耗可 统称为功耗。为了降低互补金属氧化物半导体(英文：Complementary Metal Oxide Semiconductor；简称：CMOS)电路的功耗，可以降低MOSFET的驱动电压。 降低MOSFET的驱动电压需要通过降低

第一步：对接专利转让需求客户。

第二步：专利转让人和专利受让人签署专利转让合同。

第三步：双方准备好专利转让需要的相关文件。

第四步：将相关的文件递交给专利局。

第五步：等待专利转让结果。

买卖双方需提供的材料
	企业或组织	个人
受让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③专利代理委托书	①身份证复印件（签名） ②专利权转让协议 ③专利代理委托书
转让方	①营业执照复印件 ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书原件。 ⑤若有代理机构提供《解除委托代理协议》	①身份证复印件（空白处签名） ②专利权转让协议 ③没有变更记录的专利需提供《专利请求书》 有变更记录的专利需提供《手续合格通知书》 ④下证专利需提供专利证书 ⑤若有代理机构需提供《解除委托代理协议》