AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法
专利号:2011101409303
发布时间:2019-04-03
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基于片上网络的异构多核处理系统
专利号:2015102244077
发布时间:2019-04-03
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双极型晶体管参数提取方法及其等效电路
专利号:2011101799338
发布时间:2019-04-03
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外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制备方法
专利号:2011101716960
发布时间:2019-04-03
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基于c面Al2O3衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法
专利号:2010102093233
发布时间:2019-04-03
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碳化硅环状电极PIN型核电池的制作方法
专利号:2011101824791
发布时间:2019-04-03
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基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路
专利号:2010102146118
发布时间:2019-04-03
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碳化硅指状肖特基接触式核电池
专利号:2010102208218
发布时间:2019-04-03
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一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法
专利号:2014103127112
发布时间:2019-04-03
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碳化硅栅状肖特基接触式核电池
专利号:2010102208237
发布时间:2019-04-03
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一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法
专利号:2012102443151
发布时间:2019-04-03
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碳化硅环状肖特基接触式核电池
专利号:2010102208222
发布时间:2019-04-03
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一种 SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法
专利号:201210244397X
发布时间:2019-04-03
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测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法
专利号:2014103172902
发布时间:2019-04-03
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离子注入的一维电子气GaN基H EMT器件及制备方法
专利号:2013102799457
发布时间:2019-04-03
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一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
专利号:2014103127574
发布时间:2019-04-03
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增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方式
专利号:201310391190X
发布时间:2019-04-03
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基于碳化硅结型场效应管的β辐照探测器
专利号:2010102788321
发布时间:2019-04-03
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I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法
专利号:2011103182934
发布时间:2019-04-03
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提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
专利号:200910218656X
发布时间:2019-04-03
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绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管
专利号:2014106605135
发布时间:2019-04-03
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基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
专利号:2011103615305
发布时间:2019-04-03
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